實驗室儀器

元智大學 70704 前瞻光電實驗室儀器

PL system
	儀器中文名稱：螢光光激發系統儀器廠牌及型號：iHR550 設備介紹： Laser source：具備半導體雷射(波長:661nm) × 1，與He-Cd雷射(波長:325nm) × 1 Integrating Sphere:可量測量子產率 Vacuum system：系統於30min.內PL腔體真空度可達5 × 10^-3 torr Temperature control system：可調變PL量測腔體溫度，變溫量測範圍囊括10K ~ 500K 儀器功用：由光譜中的特徵得知材料的摻雜雜質種類、能隙大小、化合物中的組成成分等材料特性。

PL system

儀器中文名稱：螢光光激發系統
儀器廠牌及型號：iHR550
設備介紹：
Laser source：具備半導體雷射(波長:661nm) × 1，與He-Cd雷射(波長:325nm) × 1
Integrating Sphere:可量測量子產率
Vacuum system：系統於30min.內PL腔體真空度可達5 × 10^-3 torr
Temperature control system：可調變PL量測腔體溫度，變溫量測範圍囊括10K ~ 500K
儀器功用：由光譜中的特徵得知材料的摻雜雜質種類、能隙大小、化合物中的組成成分等材料特性。

Sputter
	儀器中文名稱：離子濺鍍機儀器廠牌及型號：設備介紹： Sputtering source：具600W RF Power (AE RFX-600 + ATX-600)、 1500W DC Power (PSPlasma SDC-1022A)、 5kW Puls DC Power (AE Pinnacle® Plus+)， 3”Sputtering gun × 2 Substrate size：具2”基版載台，可承載單片2”晶片× 3 Vacuum system：系統於30min.內可達製程底壓5 × 10^-6 torr、8 hr.可達3.5 × 10^-7 torr Control system：具觸控式人機控制介面 (PLC control) MFC：具流量控制器(MFC) × 3，可控制Ar、O2、N2 之製程氣體流量 Heating system：600℃ 儀器功用：濺鍍金屬及介質薄膜

Sputter

儀器中文名稱：離子濺鍍機
儀器廠牌及型號：
設備介紹：
Sputtering source：具600W RF Power (AE RFX-600 + ATX-600)、
1500W DC Power (PSPlasma SDC-1022A)、
5kW Puls DC Power (AE Pinnacle® Plus+)，
3”Sputtering gun × 2
Substrate size：具2”基版載台，可承載單片2”晶片× 3
Vacuum system：系統於30min.內可達製程底壓5 × 10^-6 torr、8 hr.可達3.5 × 10^-7 torr
Control system：具觸控式人機控制介面 (PLC control)
MFC：具流量控制器(MFC) × 3，可控制Ar、O2、N2 之製程氣體流量
Heating system：600℃
儀器功用：濺鍍金屬及介質薄膜

Solar Simulator
	儀器中文名稱：太陽模擬器儀器廠牌及型號：設備介紹： Power supply:AM1.5、1 sun、1000W/m²、25℃ Kethely:二線與四線量測 Display monitor:AMP/VOLTS/WATTS/LAMP HOURS 儀器功用：量測太陽能電池效率、開路電壓、短路電流與填充因子

IPCE measurement system
	儀器中文名稱：量子效率測量系統儀器廠牌及型號：設備介紹： Power Supply: 300W Chopper controller:4 Hz to 400 Hz(5/6 solt blade);400 Hz to 3.7 kHz (25/30 solt blade) Lock-in-Amplifier:DC - 500 kHz / 5 MHz，60 MSa/秒，16 位 Filter Wheel:兩個4"直徑的輪殼可供選擇(25mm/12.5mm濾光片切換) 儀器功用：量測太陽能電池不同波長之量子效率

元智大學機械系實驗儀器

Atomic Force Microscope
	儀器中文名稱：原子力顯微鏡(AFM) 儀器廠牌及型號：SPA400 設備介紹： Detection system : optical lever system Resolution power : inplane 0.3nm verticality 0.001nm Sample size:25φ×5nn Scanning range:150uｍ儀器功用：原子尺度之表面形貌觀察與量測

本實驗室與國立中央大學光電科學研究中心、微光電實驗室、

奈米科技研究中心實驗室學術合作，並付費使用

中央大學光電科學研究中心、微光電實驗室

ARTs-RTA
	儀器中文名稱：快速退火爐儀器廠牌及型號：Premtek / ARTs 150 設備規格： Chamber diameter：4 inch Cooing water：6 SLM, 30℃ max Compressed Air：5~6 kgf/cm2 Temperature range：200℃~1200℃ Heating rate max.：150 ℃/s 儀器功用：離子佈植活化及熱退火處理

BMR CVD
	儀器中文名稱：感應式耦合電漿化學氣象沉積儀器廠牌及型號：BMR-FP2319R2 設備規格： Power supply：600W (CW) and 13.56MHz operation frequency Substrate heating：0℃~380℃ Gas Cabinet：Ar、O2、SiH4、NH3、CF4 Turbomolecular Pump：Over 40 liter/sec Mechanical Pump：Over 25cfm dry pump Electrical Power：AC 220V、45 Amper、3 phase、60Hz 儀器功用：低溫高密度之SiO2及Si3N4膜之沉積

BMR CVD

儀器中文名稱：感應式耦合電漿化學氣象沉積
儀器廠牌及型號：BMR-FP2319R2
設備規格：
Power supply：600W (CW) and 13.56MHz operation frequency
Substrate heating：0℃~380℃
Gas Cabinet：Ar、O2、SiH4、NH3、CF4
Turbomolecular Pump：Over 40 liter/sec
Mechanical Pump：Over 25cfm dry pump
Electrical Power：AC 220V、45 Amper、3 phase、60Hz
儀器功用：低溫高密度之SiO2及Si3N4膜之沉積

Dektak
	儀器中文名稱：表面輪廓儀儀器廠牌及型號：Veeco / Dektak 6M 設備規格： Stylus forces：1 mg~15 mg Scan length：50 μm~30 mm. Vertical range：50 Å~262 μm Vertical resolution：1 Å/6.5 μm、10 Å/65.5 μm、40 Å/262 μm Scan speed ranges：3 sec~100 sec Sample stage diameter:150mm(6 in) 儀器功用：元件厚度及表面輪廓量測

E-gun/Thermal
	儀器中文名稱：高真空電子束暨熱阻式蒸鍍系統儀器廠牌及型號：ULVAC 設備規格： Power supply：10 KW (e-gun), 5 KW (thermal) Substrate heating：0℃~300℃ Operating pressure：2*10-6 torr (20min) Crucible holder can be put four crucibles metal source：Al、Ni、Ti、Pt、Au、Pd 儀器功用：高品質金屬薄膜蒸鍍

FE-SEM
	儀器中文名稱：場發射掃描式電子顯微鏡儀器廠牌及型號：HITACHI S-4300 設備規格： Magnification：20x~250,000x Electron gun：Cold-cathode field emission electron gun Accelerating voltage：0.5 to 30 kV Specimen Stage： X movement：0 to 100mm Y movement：0 to 50mm Z movement：0 to 35mm Tilt：-5°to 60° Rotation：360° Specimen size：Max.102mm 儀器功用：奈微米元件輪廓測量

FE-SEM

儀器中文名稱：場發射掃描式電子顯微鏡
儀器廠牌及型號：HITACHI S-4300
設備規格：
Magnification：20x~250,000x
Electron gun：Cold-cathode field emission electron gun
Accelerating voltage：0.5 to 30 kV
Specimen Stage：
X movement：0 to 100mm
Y movement：0 to 50mm
Z movement：0 to 35mm
Tilt：-5°to 60°
Rotation：360°
Specimen size：Max.102mm
儀器功用：奈微米元件輪廓測量

Mask Aligner (K)
	儀器中文名稱：光罩對準曝光機儀器廠牌及型號：Karl-Suss / MJB-3 設備規格： Mask size capability：5 inch Chuck X-Y Range：+/-6 mm Chuck rotation range：+/-7 degree Exposure time：0.1~999 s in 0.1s increment Hg lamp：power(350 W), intensity(20 mW/cm2) 儀器功用：各種元件微影製程之對準曝光

Sputter
	儀器中文名稱：離子濺鍍機儀器廠牌及型號：HELIX 設備規格： Vacuum performance：5*10-5 torr (15min) Magnetron sputter cathode：4inch sputter source (2 set) RF power supply：1 KW DC power supply：3 KW Target：Si、W、SiO2、AlN、Si3N4、Al、ITO、IZO 儀器功用：濺鍍金屬及介質薄膜

UV-Ozone Stripper
	儀器中文名稱：紫外光臭氧清洗機儀器廠牌及型號：SAMCO / UV-1 設備規格： Sample stage：Aluminum, 200 mm (7.8") diameter Maximum substrate size：150 mm (6") diameter Substrate temperature control：controllable from ambient to 300℃(570℉) ±1℃ UV light source：110 W low pressure mercury discharge tube Timer：digital readout, auto shut off 儀器功用：微影製程殘存物之去除與清潔

UV-Ozone Stripper

儀器中文名稱：紫外光臭氧清洗機
儀器廠牌及型號：SAMCO / UV-1
設備規格：
Sample stage：Aluminum, 200 mm (7.8") diameter
Maximum substrate size：150 mm (6") diameter
Substrate temperature control：controllable from ambient to 300℃(570℉) ±1℃
UV light source：110 W low pressure mercury discharge tube
Timer：digital readout, auto shut off
儀器功用：微影製程殘存物之去除與清潔

中央大學電機系實驗儀器

Hall Effect Measurement System
	儀器中文名稱：霍爾量測儀(Hall) 儀器廠牌及型號：ACCENT HL5500 設備介紹：採用Van Der Pauw四點探針方式可量測半導體元件中的載子濃度、移動率、電阻率及霍爾係數等特性儀器功用：量測半導體元件特性

Keithley 4200
	儀器中文名稱：材料電氣特性分析儀(電壓電流量測系統) 儀器廠牌及型號：Keithley 4200 IV 設備規格：儀器功用：進行材料、半導體元件和製程的電氣特性分析。

中央大學奈米中心

High Resolution X-ray Diffraction
	儀器中文名稱：高解析度X-光繞射儀(HR-XRD) 儀器廠牌及型號：Bede/D1 設備介紹： Multi-purpose research instrument Can perform most types of X-ray measurement Beam conditioning can be easily changed to suit the experiment Several options available to best suit the user Different sample stages Different detector stage options Standard Cu sealed tube or Mircrosource® (or both) 儀器功用：分析奈米薄膜結晶品質

High Resolution X-ray Diffraction

儀器中文名稱：高解析度X-光繞射儀(HR-XRD)
儀器廠牌及型號：Bede/D1
設備介紹：
Multi-purpose research instrument
Can perform most types of X-ray measurement
Beam conditioning can be easily changed to suit the experiment
Several options available to best suit the user
Different sample stages
Different detector stage options
Standard Cu sealed tube or Mircrosource® (or both)
儀器功用：分析奈米薄膜結晶品質