近年研究成果

技術報告
  1. 劉維昇(2014), “低溫製備高導電性透明導電薄膜與金屬電極圖形優化”, 中山科學研究院科專計畫, CSIST-756-V303.
  2. 劉維昇(2013), “CIGS元件反射層阻障層及背電場研究”, 中山科學研究院科專計畫, CSIST-756-V205.
  3. 劉維昇(2012), “新穎量子點中間帶太陽能電池結構研究與設計(I)”, 國科會專題計畫報告, NSC100-2221-E-155-004.
  4. 劉維昇(2011), “氧化鋅鎂及其複合材料之光電特性研究(I)”, 國科會專題計畫報告, NSC99-2221-E-155-085.
  5. 劉維昇(2010), “化合物半導體量子點太陽能電池”, 國科會專題計畫報告, NSC98-2218-E-155-010.

 

研究計畫
年度 委託單位 計畫名稱 起迄年月 擔任工作
106 科技部 先進多層堆疊量子點太陽能電池(106-2221-E-155-041-MY3) 106/08/01~
109/07/31		 主持人
105 科技部 以銅鋅錫硫吸收層製備可撓式薄膜太陽能電池(105-2221-E-155-062-) 105/08/01~
106/07/31		 主持人
104 科技部 提升量子點太陽能電池光電轉換效率之研製(I) (104-2221-E-155-028-) 104/08/01~
105/07/31		 主持人
104 科技部 具長波長吸收之高效率量子點太陽能電池 (104-2623-E-155-001-ET) 104/01/01~
104/12/31		 主持人
103 中山科學研究院 低溫製備高導電性透明導電薄膜與金屬電極圖形優化研究 (CSIST-756-V303 (103)) 103/01/17~
103/12/31		 主持人
102 國家科學委員會 高性能中間帶量子點太陽能電池之研製(I) (NSC102-2221-E-155-083) 102/08/01~
103/07/31		 主持人
102 中山科學研究院 CIGS元件反射層阻障層及背電場研究 (CSIST-756-V205 (102)) 102/01/11~
102/12/31		 主持人
101 國家科學委員會 第二型態垂直耦合含銻量子點中間能帶太陽能電池(I) (NSC101-2221-E-155-034) 101/08/01~
102/07/31		 主持人
100 國家科學委員會 新穎量子點中間帶太陽能電池結構研究與設計(I) (NSC100-2221-E-155-004) 100/08/01~
101/09/30		 主持人
99 國家科學委員會 氧化鋅鎂及其複合材料之光電特性研究(I) (NSC99-2221-E-155-085) 99/08/01~
100/07/31		 主持人
98 國家科學委員會

化合物半導體量子點太陽能電池 (NSC98-2218-E-155-010)

 98/12/01~
99/10/31		 主持人

 

獎項（Award）
  1. 2017 指導學生： 林帝廷，獲頒台灣真空學會年會 論文佳作
  2. 2017 指導學生：陳詩元，獲頒光電年會 (OPTIC (Optic & Photonics Taiwan, International Conference – Annual Meeting of Taiwan Photonics Society)) 最佳論文獎
  3. 2017年第六屆台灣真空學會-年輕學者獎
  4. 2016年中國電機工程學會：優秀青年電機工程師獎
  5. 2016年元智大學教師評鑑: 研究傑出獎
  6. Wei-Sheng Liu* et. al, 國際電子元件與材料研討會(IEDMS), 2014： 最佳論文獎
  7. First prize of the Ph.D level in the National competition on innovative nanotechnology and nanoscience, 2005
  8. First prize of student thesis award in MBE Taiwan conference, 2005

 

專利（Patent）
  1. 劉維昇、林孝謙、劉人祐，“具高能隙半導體材料之量子點結構” 中華民國專利，M528017，2016。
  2. 梁仕昌、李可鼎、吳政翰、林瑤冷、倪國裕、劉維昇、張鈺琳、吳聲佑，“具高導電性及高穿透率之複合式薄膜結構”中華民國，新型專利第 M497333 號，2015。
  3. 劉維昇、綦振瀛， “含銻化合物之量子點光電元件” 中華民國專利，發明第 I 328291 號，2010。
  4. W.-S. Liu, and J.-I. Chyi, “ Quantum dot optoelectronic device having an Sb-containing overgrown layer” U.S. Patent, US7,456,423B2, 2008.